{"created":"2023-05-15T14:48:40.627179+00:00","id":66685,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"95b764f9-4181-4c6d-99db-9579b7cad41c"},"_deposit":{"created_by":1,"id":"66685","owners":[1],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"66685"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:repo.qst.go.jp:00066685","sets":["10:29"]},"author_link":["655758","655759","655756","655757","655753","655755","655760","655754","655752"],"item_10005_date_7":{"attribute_name":"発表年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_date_issued_datetime":"2018-03-20","subitem_date_issued_type":"Issued"}]},"item_10005_description_5":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"ソースおよびドレイン電極にNbNiシリサイドを用いた3C-SiC nMOSFETを作製し、動作評価およびガンマ線照射実験を行った。Si基板上に3C-SiC (100)をp型エピタキシャル成長(エピ厚: 5 μm)させた基板に、5×1018cm3の濃度のAlを600℃加熱下にて基板全面に注入した後、1350℃で60分のキャップアニールを実施することで基板のp型化を図った。全面注入後の基板にSiO2のダミーゲートを形成した後、500℃加熱下で5×1020 cm3の濃度のPを注入し、1250℃で60分のキャップアニールを行いソース、ドレイン領域を形成した。基板全面にSiO2層を堆積させ、ゲート部のSiO2層を除去した後1000℃での水素燃焼酸化によりゲート絶縁膜(20nm)を形成した。その後、ソース、ドレイン部にNb/Niの積層構造を堆積させ、900℃で5minのアニールによりシリサイド化することでオーミックコンタクトを形成し、その上からAlゲート電極を成膜した。\nドレインソース間電圧Vds=0.1 VのときのId-Vg特性からnMOSFETとしての動作が確認され、しきい値電圧は5.8 V程度であり、移動度はおよそ44.6cm2/Vsとなった。さらに室温で2MGyまでのガンマ線照射した後においてもnMOSFETとしての動作が確認され、ガンマ線耐性を示すことを確認した。","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_10005_description_6":{"attribute_name":"会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"第65回応用物理学会春季学術講演会","subitem_description_type":"Other"}]},"item_access_right":{"attribute_name":"アクセス権","attribute_value_mlt":[{"subitem_access_right":"metadata only access","subitem_access_right_uri":"http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"永野, 耕平"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"655752","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"目黒, 達也"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"655753","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"武山, 昭憲"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"655754","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"牧野, 高 紘"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"655755","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"大島, 武"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"655756","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"田中, 保宣"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"655757","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"武山 昭憲","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"655758","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"牧野 高紘","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"655759","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"大島 武","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"655760","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"conference object","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]},"item_title":"NbNiシリサイドS/D 3C-SiC nMOSFETsと高ガンマ線 照射特性","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"NbNiシリサイドS/D 3C-SiC nMOSFETsと高ガンマ線 照射特性"}]},"item_type_id":"10005","owner":"1","path":["29"],"pubdate":{"attribute_name":"公開日","attribute_value":"2018-03-24"},"publish_date":"2018-03-24","publish_status":"0","recid":"66685","relation_version_is_last":true,"title":["NbNiシリサイドS/D 3C-SiC nMOSFETsと高ガンマ線 照射特性"],"weko_creator_id":"1","weko_shared_id":-1},"updated":"2023-05-15T20:46:09.065302+00:00"}