WEKO3
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GaN 上およびInN 上GaInN 成長における成長初期過程の観察
https://repo.qst.go.jp/records/66457
https://repo.qst.go.jp/records/664577884a6f5-e7c7-4353-b84a-840f41c11f71
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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公開日 | 2017-09-28 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | GaN 上およびInN 上GaInN 成長における成長初期過程の観察 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
山口, 智広
× 山口, 智広× 佐々木, 拓生× 高橋, 正光× 尾沼, 猛儀× 本田, 徹× 荒木, 努× 名西, 憓之× Sasaki, Takuo× Takahashi, Masamitsu |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 高品質GaInN 膜の実現は、GaN マトリックスを用いるこれまでのGaN 系発光デバイスに対し、より幅広いデバイス設計・デバイス応用を可能とする。高品質GaInN膜を実現するためには、格子緩和過程を理解し、その過程を制御することが求められる。今回は、RF-MBE 法を用いてGaN 上およびInN上にGaInN 成長を行い、その場X 線逆格子マッピング法を用いてGaInN 成長初期過程の観察を行ったので報告する。 | |||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 第78回応用物理学会秋季学術講演会 | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2017-09-07 | |||||
日付タイプ | Issued |