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アイテム
GaN 上およびInN 上GaInN 成長における成長初期過程の観察
https://repo.qst.go.jp/records/66457
https://repo.qst.go.jp/records/664577884a6f5-e7c7-4353-b84a-840f41c11f71
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2017-09-28 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | GaN 上およびInN 上GaInN 成長における成長初期過程の観察 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
山口, 智広
× 山口, 智広× 佐々木, 拓生× 高橋, 正光× 尾沼, 猛儀× 本田, 徹× 荒木, 努× 名西, 憓之× Sasaki, Takuo× Takahashi, Masamitsu |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 高品質GaInN 膜の実現は、GaN マトリックスを用いるこれまでのGaN 系発光デバイスに対し、より幅広いデバイス設計・デバイス応用を可能とする。高品質GaInN膜を実現するためには、格子緩和過程を理解し、その過程を制御することが求められる。今回は、RF-MBE 法を用いてGaN 上およびInN上にGaInN 成長を行い、その場X 線逆格子マッピング法を用いてGaInN 成長初期過程の観察を行ったので報告する。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第78回応用物理学会秋季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2017-09-07 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
