@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066457,
 author = {山口, 智広 and 佐々木, 拓生 and 高橋, 正光 and 尾沼, 猛儀 and 本田, 徹 and 荒木, 努 and 名西, 憓之 and Sasaki, Takuo and Takahashi, Masamitsu},
 month = {Sep},
 note = {高品質GaInN 膜の実現は、GaN マトリックスを用いるこれまでのGaN 系発光デバイスに対し、より幅広いデバイス設計・デバイス応用を可能とする。高品質GaInN膜を実現するためには、格子緩和過程を理解し、その過程を制御することが求められる。今回は、RF-MBE 法を用いてGaN 上およびInN上にGaInN 成長を行い、その場X 線逆格子マッピング法を用いてGaInN 成長初期過程の観察を行ったので報告する。, 第78回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {GaN 上およびInN 上GaInN 成長における成長初期過程の観察},
 year = {2017}
}