WEKO3
アイテム
電子線照射によるIbタイプダイヤモンド中でのNVセンター形成
https://repo.qst.go.jp/records/85585
https://repo.qst.go.jp/records/85585add920a9-125d-45c1-837a-09c1dc446ea2
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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公開日 | 2022-01-13 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 電子線照射によるIbタイプダイヤモンド中でのNVセンター形成 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
石井, 秀弥
× 石井, 秀弥× 佐伯, 誠一× 小野田, 忍× 増山, 雄太× 阿部, 浩之× 大島, 武× Shuya, Ishii× Seiichi, Saiki× Shinobu, Onoda× Yuta, Masuyama× Hiroshi, Abe× Takeshi, Ohshima |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 電子線照射を用いればダイヤモンド中のNV(窒素・空孔)センターを高濃度に形成することが出来ることが知られている。2 MeV電子線照射を室温で実施し、照射を進める過程で熱処理を行い、その都度P1センター(格子中窒素不純物)の消費の様子や形成されたNVセンターの電荷状態、総量と照射量の関係を調べた。その結果、高効率でのNVセンター形成が確認出来た一方でP1センターがNVセンター以外の欠陥に消費されている可能性が示唆された。 | |||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 第69回応用物理学会春季学術講演会 | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2022-03-25 | |||||
日付タイプ | Issued |