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アイテム
放射光その場X線回折による窒化物半導体表面界面のリアルタイム構造解析
https://repo.qst.go.jp/records/83728
https://repo.qst.go.jp/records/837287ca09533-7a14-42e7-9b63-bdbdd9c63fdb
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2021-10-26 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 放射光その場X線回折による窒化物半導体表面界面のリアルタイム構造解析 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
佐々木, 拓生
× 佐々木, 拓生× Takuo, Sasaki |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 私たちは窒化ガリウム（GaN）成長表面がどのような構造をしているのか、その実際の描像を原子レベルで捉えることで、窒化物薄膜成長の基礎学理の構築と、薄膜結晶のさらなる高品質化に向けた成長技術の開発を目指している。とくに分子線エピタキシャル（MBE）成長中のGaN表面は、常に液体Gaによって覆われていることが高品質な薄膜結晶が得られる条件として知られており、液体GaがGaN表面に対してランダムに吸着しているのか、それともある程度の秩序をもっているのか、きわめて興味深い。本講演では、SPring-8のQST専用ビームラインBL11XUにて行った放射光その場X線回折によって、液体GaがGaN表面上で形成する秩序構造を解析した結果を報告する。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 量子ビームによる表面界面の光機能探究研究会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2021-11-05 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
