WEKO3
アイテム
Effect of plasma formation on the double pulse laser excitation of cubic silicon carbide
https://repo.qst.go.jp/records/72653
https://repo.qst.go.jp/records/726536db640cb-e5a4-444f-998e-af13214b1d53
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2018-02-06 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Effect of plasma formation on the double pulse laser excitation of cubic silicon carbide | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
乙部, 智仁
× 乙部, 智仁× 乙部 智仁 |
|||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 3C-SiCの２パルス照射による電子励起過程についてTDDFTに基づく第一原理シミュレーションを用いて調べた。第一パルスで励起された電子は衝突過程により緩和をする。TDDFTは衝突過程を含まないため有限温度DFTを用いてプラズマ状態と第2パルスによる励起効率を比較した。その結果電子密度だけでなく伝導帯と荷電帯の擬温度によっても効率が大きく変化することがわかった | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第10回 文部科学省「最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム」シンポジウム | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2018-01-23 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
