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アイテム
バイアス印加によるSiCダイオード中の発光中心の発光強度変化
https://repo.qst.go.jp/records/72515
https://repo.qst.go.jp/records/72515e684ac37-6e81-4d5a-99e9-950182c9e709
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2017-11-09 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | バイアス印加によるSiCダイオード中の発光中心の発光強度変化 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
本多, 智也
× 本多, 智也× 常見, 大貴× 小野田, 忍× 佐藤, 真一郎× 牧野, 高紘× 土方, 泰斗× 大島, 武× 小野田 忍× 佐藤 真一郎× 牧野 高紘× 大島 武 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | SiC p+nn+ダイオード中の発光中心の逆バイアス電圧印加状態（ON）及び無バイアス状態（OFF）における発光を観察したところ、発光強度がバイアス電圧のON/OFFに応答する発光中心を発見した。この結果は、SiC中の単一光子源（SPS）を利用したデバイス駆動型SPS発光特性制御の実現や、内部電界可視化による新たなデバイス診断法への道を切り開いたといえる。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第4回講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2017-11-01 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
