WEKO3
アイテム
Si(110)表面加熱時の16×2シングルドメイン・ダブルドメイン構造形成への影響
https://repo.qst.go.jp/records/72046
https://repo.qst.go.jp/records/72046356eaefc-e46e-4415-bf0f-ab0b58881588
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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公開日 | 2016-10-28 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Si(110)表面加熱時の16×2シングルドメイン・ダブルドメイン構造形成への影響 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
鈴木, 翔太
× 鈴木, 翔太× 矢野, 雅大× 魚住, 雄輝× 朝岡, 秀人× 山口, 憲司× 山口 憲司 |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | Si(110)表面再構成構造は16×2ダブルドメイン構造と呼ばれる極めて不規則な構造であることが知られているが、近年、外部電場による表面原子拡散(エレクトロマイグレーション)を起こし、この不規則な再構成列を単一方向に制御したSi(110)16×2シングルドメイン構造の作製が報告されている。しかし、その詳細な形成機構は不明とされている。本研究では、通電加熱によるSi(110)16×2ダブルドメイン構造の作製と加熱による熱歪みの導入を実施し、LEED(低速電子線回折)による表面構造の観察から、Si(110)16×2シングルドメイン、ダブルドメイン構造の形成条件と表面の熱歪みとの関係について調べた。 | |||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 日本化学会関東支部 第27回茨城地区研究交流会 | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2016-11-25 | |||||
日付タイプ | Issued |