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アイテム
スピン偏極陽電子ビームを用いたガドリニウム添加窒化ガリウム薄膜の空孔誘起磁性検出
https://repo.qst.go.jp/records/66918
https://repo.qst.go.jp/records/66918789b59cb-4766-410b-8cd6-5ce271da5ce9
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2018-09-19 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | スピン偏極陽電子ビームを用いたガドリニウム添加窒化ガリウム薄膜の空孔誘起磁性検出 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
前川, 雅樹
× 前川, 雅樹× 境, 誠司× 萩原, 聡× 和田, 健× 宮下, 敦巳× 河裾, 厚男× 薮内, 敦× 長谷川, 繁彦× 前川 雅樹× 境 誠司× 萩原 聡× 和田 健× 宮下 敦巳× 河裾 厚男 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 希薄磁性半導体として期待されているガドリニウム添加窒化ガリウム（GaGdN）において、結晶成長中に導入されるガリウム空孔が磁性に与える影響を、スピン偏極陽電子消滅法を使って調べた。Ga過多条件下で成長させた結晶には均一な組成を持つGaGdN相が形成し、弱い磁性が測定された。一方でGa欠乏条件下ではGaGdN相ではなく、GaNマトリクス中にGdNがナノ微粒子として析出し、これが低温で強磁性を発現していることが観測された。陽電子消滅法では、Ga過多/欠乏試料の両方にガリウム空孔が検出され、さらに磁気ドップラー測定を行うとガリウム空孔に存在する磁気モーメントが検出された。しかしGa過多/欠乏条件では逆の反応を示した。これは、GdNが析出したGa欠乏試料では、GaNマトリクス中のガリウム空孔に陽電子が捕らえられ、そこにある窒素原子の2sp不対電子と消滅しているのに対し、Ga過多条件下ではGaGdN相中のガリウム空孔に陽電子は捕獲されており、Gd電子との相互作用の結果少数スピンとなった不対電子と消滅するため、磁気ドップラースペクトルが逆の反応を示したものと考えられる。GaGdNではガリウム空孔が磁気特性に影響を与えうることが示唆された。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 日本物理学会参加(2018年秋季大会) | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2018-09-10 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
