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アイテム
Siのレーザー加工過程の振動数依存性
https://repo.qst.go.jp/records/65967
https://repo.qst.go.jp/records/65967fe522218-ed77-4423-8de4-874da6f74779
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2016-09-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Siのレーザー加工過程の振動数依存性 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
乙部, 智仁
× 乙部, 智仁× 乙部 智仁 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 多階層第一原理シミュレーション手法により、中赤外から近赤外領域の10fs超短パルスレーザーによるシリコン表面の非熱加工過程解明に向けたシミュレーションを行った。その結果、低振動数になるほど多光子過程であるにもかかわらず、より深くからのアブレーションが可能となることが分かった。これは長波長であるほど侵入長が長く、表面に生成された薄いプラズマ領域より深い領域の電子を励起できることに起因すると思われる。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 応用物理学会秋季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2016-09-13 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
