WEKO3
アイテム
ガンマ線照射が酸化チタン抵抗変化素子特性に及ぼす影響
https://repo.qst.go.jp/records/2003052
https://repo.qst.go.jp/records/200305204f56a94-29f6-4068-bf4a-2f8aa0ae323e
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||
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| 公開日 | 2026-03-18 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | ガンマ線照射が酸化チタン抵抗変化素子特性に及ぼす影響 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | jpn | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6670 | |||||||
| 資源タイプ | conference poster | |||||||
| 著者 |
武山 昭憲
× 武山 昭憲
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| 抄録 | ||||||||
| 内容記述 | 抵抗変化素子（ReRAM）は放射線の影響を受けにくい単純な構造であり、耐放射線性素子として注目されている。これまでガンマ線による劣化挙動は十分に調べられておらず、酸化チタン薄膜でReRAMを試作し劣化挙動を調べた。 導電性インジウム添加酸化スズ（ITO）コートガラス基板に酸化チタン(TiO2-x)薄膜を製膜し、上部に1mm 角の銅電極を真空蒸着してReRAMを作製した。銅電極の酸化を防ぐためステンレス製照射容器をアルゴンで置換し、コバルト60からのガンマ線を線量率7.4kGy/hで照射した。 基板をアースとして銅電極の電圧を掃引すると、電流-電圧曲線はヒステリシスを示し、10 回以上繰り返し電圧掃引後も曲線形状は変わらず、安定した特性が得られた。ガンマ線照射すると150 kGy で電流-電圧曲線のヒステリシスが大きくなるとともに、特性が不安定になった。さらに620 kGy ではヒステリシスは小さくなるが、再び安定した特性が得られるようになった。ReRAMの劣化挙動として、照射で酸化物薄膜中の導電性酸素空孔の濃度が増加し、抵抗値の単調な低下とヒステリシスの減少が報告されているが、本研究ではヒステリシスが増加した後に低下する劣化モードがあることを示した。 | |||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||
| 内容記述 | 第73回応用物理学会春季学術講演会 | |||||||
| 発表年月日 | ||||||||
| 日付 | 2026-03-17 | |||||||
