WEKO3
アイテム
半導体中の孤立したErイオンを単一光子源とした量子フォトニックデバイスの研究
https://repo.qst.go.jp/records/2002968
https://repo.qst.go.jp/records/2002968e66f71fc-8fc8-4c41-91ef-3794893a8c78
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2026-03-05 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | 半導体中の孤立したErイオンを単一光子源とした量子フォトニックデバイスの研究 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | jpn | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6670 | |||||||
| 資源タイプ | conference poster | |||||||
| 著者 |
佐藤 真一郎
× 佐藤 真一郎
|
|||||||
| 抄録 | ||||||||
| 内容記述 | 結晶中の孤立したエルビウム(Er)イオンは、室温でも安定した線幅の狭い光通信波長帯Cバンド（波長1.5μm）の発光を示し、長いスピンコヒーレンス時間を有することから、量子技術の構成要素である単一光子源や量子メモリとなりうる有望なスピン量子ビットである。本研究では、窒化物（GaN等）半導体中でErが安定構造を取りうることに着目し、単一のErイオンをGaN薄膜上に形成した光ナノ共振器と結合させることで決定論的単一光子生成を目指す。 | |||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||
| 内容記述 | JST創発的研究支援事業 自発的融合の場 『第3回 材料への新規解析・計測手法の適用』 | |||||||
| 発表年月日 | ||||||||
| 日付 | 2026-03-07 | |||||||
