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アイテム
4H-SiCアクティブピクセルセンサへの5 MGyガンマ線照射効果
https://repo.qst.go.jp/records/2002417
https://repo.qst.go.jp/records/2002417eb9a73a7-17df-4fb7-b3b5-a4dabb724f7c
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-11-21 | |||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||
| タイトル | 4H-SiCアクティブピクセルセンサへの5 MGyガンマ線照射効果 | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6670 | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference poster | |||||||||||||||||||
| 著者 |
目黒 達也
× 目黒 達也
× 八又 勝己
× 武山 昭憲
× 大島 武
× 児島 一聡
× 田中 保宣
× 黒木 伸一郎
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 炭化ケイ素（4H-SiC）を用いた耐放射線CMOSイメージセンサの開発を進めているが、本研究では、4H-SiC CMOSイメージセンサの主要素であるアクティブピクセルセンサ(APS)を作製し、積算線量 5 MGyまでのガンマ線に暴露し素子特性を調べた。4H-SiC APSは5 MGyという高い放射線照射後でも動作したが、リセット動作時の出力電圧増加が見られた。これは照射によりAPSを構成する電界効果トランジスタ（MOSFET）のしきい値電圧が低下したためである。また駆動時の出力電圧振幅は照射により減少したが、これはフォトダイオードの量子効率低下を示唆している。 | |||||||||||||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第12回講演会 | |||||||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||||||
| 日付 | 2025-11-20 | |||||||||||||||||||
