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アイテム
LDD構造導入による4H-SiC n-MOSFETの短チャネル効果抑制
https://repo.qst.go.jp/records/2002416
https://repo.qst.go.jp/records/2002416bf29117e-fb1d-432d-911e-5a9c0bb704d9
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-11-21 | |||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||
| タイトル | LDD構造導入による4H-SiC n-MOSFETの短チャネル効果抑制 | |||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6670 | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference poster | |||||||||||||||||
| 著者 |
清水 皓太
× 清水 皓太
× 武山 昭憲
× 大島 武
× 児島 一聡
× 田中 保宣
× 黒木 伸一郎
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| 抄録 | ||||||||||||||||||
| 内容記述 | 炭化ケイ素電界効果トランジスタ（4H-SiC MOSFET）は、電流の流路であるチャネルに欠陥が生成し抵抗が大きくなり安いため、チャネル長をサブミクロンオーダに短くする短チャネル化が有効である。しかし短チャネル化はしきい値電圧低下など「短チャネル効果」を引き起こすため、その抑制のため4H-SiC n-MOSFETのソース、ドレイン領域周辺に低濃度のn型（LDD）領域を形成したLDD(Lightly Doped Drain)構造を導入した。LDD構造の導入によりしきい値電圧低下が抑えられ、短チャネル効果を抑制できた。 | |||||||||||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||||||||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第12回講演会 | |||||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||||
| 日付 | 2025-11-19 | |||||||||||||||||
