WEKO3
アイテム
Pt/Ti, Pt/TiN電極を有した4H-SiC MOSFETsの500℃10時間加熱試験
https://repo.qst.go.jp/records/2002415
https://repo.qst.go.jp/records/20024152a4c2e68-0449-4c43-ab27-cff3ab6ea2bd
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2025-11-21 | |||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||
| タイトル | Pt/Ti, Pt/TiN電極を有した4H-SiC MOSFETsの500℃10時間加熱試験 | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6670 | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference poster | |||||||||||||||||||
| 著者 |
難波 良輔
× 難波 良輔
× 平本 詩音
× 武山 昭憲
× 大島 武
× 児島 一聡
× 田中 保宣
× 黒木 伸一郎
|
|||||||||||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 自動車や電力産業, 宇宙開発など高温環境下で動作可能な炭化ケイ素（SiC）集積回路実現に向け、高融点金属である白金（Pt）、チタン（Ti）、窒化チタン（TiN）を配線に用いた４H-SiC nおよびp型 電界効果トランジスタ（MOSFET）を作製し、500℃10時間の加熱試験を行った。加熱後もSiC MOSFETはトランジスタ動作したが、動作電圧であるしきい値電圧や電子の移動度が変化した。これは過去の報告にあるように、400℃を超えるとSiC表面の炭素原子が基板-配線間のニッケル/ニオブ（Ni/Nb）コンタクトに拡散し、抵抗値が上昇したためと推測される。また加熱後の移動度変化はPt/TiNを配線に用いた時の方が小さいことが確認された。 | |||||||||||||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第12回講演会 | |||||||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||||||
| 日付 | 2025-11-19 | |||||||||||||||||||
