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アイテム
γ線照射下におけるSiC JFET演算増幅器利得段のその場測定
https://repo.qst.go.jp/records/2002408
https://repo.qst.go.jp/records/2002408ec42c564-e28a-4ba8-89a5-93879bdbca5a
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-11-21 | |||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | γ線照射下におけるSiC JFET演算増幅器利得段のその場測定 | |||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6670 | |||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference poster | |||||||||||||||||||||||||||
| 著者 |
山本 真幸
× 山本 真幸
× 武山 昭憲
× 廣瀬 竜也
× 杠 幹大
× 梅沢 仁
× 黒岩 丈晴
× 佐藤 隆英
× 牧野 高紘
× 大島 武
× 黒木 伸一郎
× 田中 保宣
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 近年、高温や放射線など過酷環境で使用可能な炭化ケイ素（SiC）集積回路の研究開発に注目が集まっている。これまでの研究では、主に動作させない状態でSiC素子や回路に対するガンマ線照射の影響が調べられてきた。一方で、動作中のSiC回路に照射したときの研究も一部あるものの、SiCアナログ回路に対する利得や出力オフセット電圧などの特性変化については十分に調べられていない。そこで本研究ではSiC 接合型電界効果トランジスタ(JFET)で構成されるオペアンプを試作し、動作させながらガンマ線照射を行い、その影響を評価した。その結果、照射前と比較し電圧利得と出力電圧波形に変化は見られなかったが、オフセット電圧が照射開始後に約2V低下した。この現象は、素子表面を絶縁する保護酸化膜内に照射で正孔（ホール）が生成後、欠陥に捕獲され、保護酸化膜が正に帯電したためと考えられる。 | |||||||||||||||||||||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第12回講演会 | |||||||||||||||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 日付 | 2025-11-20 | |||||||||||||||||||||||||||
