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アイテム
ガンマ線照射による4H-SiC JFETのリーク電流増加
https://repo.qst.go.jp/records/2002337
https://repo.qst.go.jp/records/2002337327c4cc7-c634-4667-8833-082ae3fcc8e3
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-09-12 | |||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||
| タイトル | ガンマ線照射による4H-SiC JFETのリーク電流増加 | |||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6670 | |||||||||||||||
| 資源タイプ | conference poster | |||||||||||||||
| 著者 |
武山 昭憲
× 武山 昭憲
× 牧野 高紘
× 黒木 伸一郎
× 田中 保宣
× 大島 武
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| 抄録 | ||||||||||||||||
| 内容記述 | 炭化ケイ素（SiC）はシリコン(Si)の約3倍広いバンドギャップエネルギーを持ち、熱や放射線による電子励起が起こりにくく、高温・放射線環境で使える集積回路の実現を目指し研究が進められている。集積回路には一般に金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)が用いられるが、ガンマ線で生成した電荷でゲート酸化膜が帯電し、素子特性が劣化しやすい。そのため、ゲート酸化膜がないSiC接合型電界効果トランジスタ（JFET）が高線量用途として期待されている。これまでにSiC JFETを数MGy（メガグレイ）高線量ガンマ線に暴露するとリーク電流が増加し、照射後の時間経過とともに減少することを確かめたが、照射済みSiC JFETに電圧ストレス印加などを行い、リーク電流の起源について調べた。 | |||||||||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||||||||
| 内容記述 | 2025年 第86回 応用物理学会 秋季学術講演会 | |||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||
| 日付 | 2025-09-10 | |||||||||||||||
