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アイテム
SiCシリコン空孔を⽤いた全光型量⼦センシングの理論
https://repo.qst.go.jp/records/2002322
https://repo.qst.go.jp/records/2002322924048be-ff45-47d1-aa95-86845505e87a
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-09-24 | |||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||
| タイトル | SiCシリコン空孔を⽤いた全光型量⼦センシングの理論 | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | conference presentation | |||||||||||||||||||
| 著者 |
大門 俊介
× 大門 俊介
× 針井 一哉
× 平⽯秀徳
× ⼟⽅泰⽃
× 松下 雄一郎
× 大島 武
× 好田 誠
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||
| 内容記述 | マイクロ波を用いない全光型量子センシング技術の開発を目指し、VSiの蛍光プロセスを理論的側面から解析した。VSi近傍に局在した電子がつくる多体電子状態のエネルギー準位に対して、レーザー励起および緩和による軌道遷移に加え、外部磁場によるスピン状態の変化をシミュレートすることで、実験結果をよく再現するモデルの構築に成功した。マイクロ波によるスピン操作がない場合でも内因的な相互作用によりスピン状態が混成し、蛍光強度が変化することを明らかにした。本研究成果により、マイクロ波を用いない簡素な構造の固体センサーの開発や磁気感度の向上に向けた材料設計の理論的指針を与えることが可能になった。 | |||||||||||||||||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||||||||||||||||
| 内容記述 | 日本物理学会 第80回年次大会 | |||||||||||||||||||
| 発表年月日 | ||||||||||||||||||||
| 日付 | 2025-09-18 | |||||||||||||||||||
