WEKO3
アイテム
Selective synthesis of large-area monolayer tin sulfide from simple substances
https://repo.qst.go.jp/records/2001623
https://repo.qst.go.jp/records/20016239e4f2cf2-7265-45aa-9699-59ec7822b4e3
| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-05-22 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | Selective synthesis of large-area monolayer tin sulfide from simple substances | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者 |
Koyama Kazuki
× Koyama Kazuki
× Ishihara Jun
× Matsui Nozomi
× Mori Atsuhiko
× Li Sicheng
× Yang Jinfeng
× Entani Shiro
× Odagawa Takeshi
× Aoyama Makito
× Zhang Chaliang
× Fan Ye
× Kitakami Ibuki
× Yamamoto Sota
× Omoti Toshihiro
× Cho Yasuo
× Hofmann Stephan
× Kohda Makoto
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| 抄録 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | Both tin monosulfide (SnS) and tin disulfide (SnS2) are stable layered materials with potential for spin?valleytronic devices and photodetectors. Notably, monolayer SnS, owing to its low symmetry, exhibits interesting properties such as ferroelectricity, shift-current, and a persistent spin helix state in the monolayer limit. However, creating atomic-thickness crystals of SnS is challenging owing to the enhanced interlayer interactions caused by lone pair electrons, unlike SnS2. Here, we demonstrate that p-type SnS can be selectively grown by simply varying the sulfur vapor concentration relative to tin using single-element precursors. Additionally, we show that monolayer SnS crystals, up to several tens of micrometers in scale, can be easily and safely obtained by high-temperature etching of bulk SnS in a pure nitrogen gas atmosphere. These findings pave the way for device applications based on high-quality tin sulfide. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
Nano Letters 発行日 2025-05 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Chemical Society | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DOI | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | 10.1021/acs.nanolett.5c01639 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
