| アイテムタイプ |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2024-12-04 |
| タイトル |
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タイトル |
Voltage Dependence of Single-Event Cross Sections of FinFET SRAMs for Low LET Condition |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| 著者 |
Kozo Takeuchi
Keita Sakamoto
Kazuki Yukumatsu
Takashi Kato
Hideya Matsuyama
Takeyama Akinori
Makino Takahiro
Ohshima Takeshi
Hiroyuki Shindou
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
The voltage dependence of the single-event upset (SEU) cross section on a 16-nm FinFET static random access memory (SRAM) is investigated. According to the experimental and numerical simulation results under low linear energy transfer (LET) conditions, the cross section of the FinFET SRAM does not decrease exponentially as VDD increases. |
| 書誌情報 |
IEEE Transactions on Nuclear Science
巻 70,
号 8,
p. 1755-1759,
発行日 2023-07
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| 出版者 |
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出版者 |
IEEE |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1558-1578 |
| DOI |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
10.1109/TNS.2023.3295340 |
