| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2024-05-02 |
| タイトル |
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タイトル |
Mechanism of Ion Track Formation in Silicon by Much Lower Energy Deposition than the Formation Threshold |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| 著者 |
Amekura Hiroshi (NIMS)
Narumi Kazumasa
Chiba Atsuya
Hirano Yoshimi
Yamada Keisuke
Yamamoto Shunya
Ishikawa Norito (JAEA)
Okubo Nariaki (JAEA)
Toulemonde Marcel (CIMAP-GANIL)
Saito Yuuichi
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
特に1-9 MeV C60イオン照射下での、結晶性シリコン中でのイオントラック形成機構について議論する。このエネルギー領域では、より高いエネルギーでの実験データから外挿された閾値17MeVよりエネルギーが十分低いのでイオントラックは形成されないと考えられていた。しかし、C60イオン照射と単原子イオン照射ではトラック形成が異なるようで、3 MeV C60イオン照射ではトラックが観測されるのに、200 MeV Xeイオン照射では観測されなかった。これらのイオン照射では電子的阻止能は同じだが、核的阻止能が前者においてかなり大きくなる。したがって、C60イオン照射の場合は、核的阻止能の寄与が示唆される。非弾性熱スパイクモデルに基づいた計算では、高エネルギーの単原子イオン照射ではイオントラックが形成されると予想されるが、これまでにイオントラックが実験的に観測されたことはなく、このことは結晶性シリコン中では再結晶化がかなり強められるのでイオントラックがすぐに消滅するということを示唆する。1-9 MeVのC60イオンの場合は、トラック半径が、溶融遷移を仮定する非弾性熱スパイクモデルでよく再現されるので、例外である。C60イオンに対する大きな核的阻止能によって引き起こされる衝突による損傷は結晶性シリコンの再結晶化を妨げ、溶融遷移によって形成されたトラックは再結晶化されない。これは、既に知られているメカニズム、即ち、予備損傷効果(pre-damage effect)と統合熱スパイク(unified thermal spike)とは異なる、新しいタイプの電子的阻止能と核的阻止能の相乗効果である。 |
| 書誌情報 |
Physica Scripta
巻 98,
号 4,
p. 045701,
発行日 2023-03
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| 出版者 |
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出版者 |
IOP Publishing |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1402-4896 |
| DOI |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
10.1088/1402-4896/acbbf5 |
