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アイテム
窒化ガリウムナノピラー中プラセオジム(Pr)の室温での発光強度増幅
https://repo.qst.go.jp/records/81607
https://repo.qst.go.jp/records/81607dd1c57ca-82e2-401e-9eb6-988b7a147775
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2021-01-08 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 窒化ガリウムナノピラー中プラセオジム(Pr)の室温での発光強度増幅 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
佐藤, 真一郎
× 佐藤, 真一郎× 出来, 真斗× Li, Shuo× 渡邉, 浩崇× 新田, 州吾× 本田, 善央× 西村, 智朗× D. Greentree, Andrew× C. Gibson, Brant× 天野, 浩× 大島, 武× Sato, Shinichiro× Ohshima, Takeshi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 窒化ガリウム半導体(GaN)中の孤立したランタノイドは、室温でも狭い線幅で高輝度の発光を示すことから、単一光子源への応用が期待できる。Prイオン注入したGaN上に様々なサイズのナノピラー構造を形成し、ピラー中Pr3+の3P0 → 3F2遷移に起因する652 nm付近の発光を室温で観察したところ、ピラー構造を持たないGaN中Pr3+よりも高い発光強度を得た。本講演では、励起光強度依存性や発光遷移寿命と併せてそのメカニズムについて議論する。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第67回応用物理学会春季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2020-03-14 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
