@misc{oai:repo.qst.go.jp:00081607,
 author = {佐藤, 真一郎 and 出来, 真斗 and Li, Shuo and 渡邉, 浩崇 and 新田, 州吾 and 本田, 善央 and 西村, 智朗 and D. Greentree, Andrew and C. Gibson, Brant and 天野, 浩 and 大島, 武 and Sato, Shinichiro and Ohshima, Takeshi},
 month = {Mar},
 note = {窒化ガリウム半導体(GaN)中の孤立したランタノイドは、室温でも狭い線幅で高輝度の発光を示すことから、単一光子源への応用が期待できる。Prイオン注入したGaN上に様々なサイズのナノピラー構造を形成し、ピラー中Pr3+の3P0 → 3F2遷移に起因する652 nm付近の発光を室温で観察したところ、ピラー構造を持たないGaN中Pr3+よりも高い発光強度を得た。本講演では、励起光強度依存性や発光遷移寿命と併せてそのメカニズムについて議論する。, 第67回応用物理学会春季学術講演会},
 title = {窒化ガリウムナノピラー中プラセオジム(Pr)の室温での発光強度増幅},
 year = {2020}
}