WEKO3
アイテム
4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成と発光特性
https://repo.qst.go.jp/records/73008
https://repo.qst.go.jp/records/73008aaedb7ae-217f-4da7-be46-2e36e7c00a67
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2018-11-12 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成と発光特性 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
楢原, 拓真
× 楢原, 拓真× 佐藤, 真一郎× 土方, 泰斗× 大島, 武× 佐藤 真一郎× 大島 武 |
|||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥(NcVsi- )の形成条件を明らかにするため、様々な条件で作製した試料の室温および80 Kでのフォトルミネッセンス測定を行った。その結果、4H-SiC基板の不純物窒素濃度や、イオンビーム照射量、熱処理温度によるNcVsi-起因の発光スペクトルや発光強度の変化を系統的に明らかにすることができた。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会第5回講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2018-11-06 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
