@misc{oai:repo.qst.go.jp:00073008,
 author = {楢原, 拓真 and 佐藤, 真一郎 and 土方, 泰斗 and 大島, 武 and 佐藤 真一郎 and 大島 武},
 month = {Nov},
 note = {4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥(NcVsi- )の形成条件を明らかにするため、様々な条件で作製した試料の室温および80 Kでのフォトルミネッセンス測定を行った。その結果、4H-SiC基板の不純物窒素濃度や、イオンビーム照射量、熱処理温度によるNcVsi-起因の発光スペクトルや発光強度の変化を系統的に明らかにすることができた。, 先進パワー半導体分科会第5回講演会},
 title = {4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成と発光特性},
 year = {2018}
}