WEKO3
アイテム
窒化ガリウム半導体に高温イオン注入したプラセオジム(Pr)の発光観測
https://repo.qst.go.jp/records/72689
https://repo.qst.go.jp/records/7268935e883bc-2223-4b33-8e03-0b60cca4763a
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2018-03-13 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 窒化ガリウム半導体に高温イオン注入したプラセオジム(Pr)の発光観測 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
佐藤, 真一郎
× 佐藤, 真一郎× 出来, 真斗× 中村, 徹× 大島, 武× 佐藤 真一郎 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 窒化ガリウム半導体(GaN)中の孤立したプラセオジム(Pr)は固体量子ビットや単一光子源への応用が期待できることから、単一Prからの単一光子発生の観測に向けた最適条件の探索を進めている。今回はイオン注入したPrの活性化率の向上を図るため、最高1200℃までの高温イオン注入を行ったので、その結果について報告する。また、高速熱処理による結晶性の回復や欠陥クラスターの形成について議論する。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第65回応用物理学会春季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2018-03-20 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
