@misc{oai:repo.qst.go.jp:00072689,
 author = {佐藤, 真一郎 and 出来, 真斗 and 中村, 徹 and 大島, 武 and 佐藤 真一郎},
 month = {Mar},
 note = {窒化ガリウム半導体(GaN)中の孤立したプラセオジム(Pr)は固体量子ビットや単一光子源への応用が期待できることから、単一Prからの単一光子発生の観測に向けた最適条件の探索を進めている。今回はイオン注入したPrの活性化率の向上を図るため、最高1200℃までの高温イオン注入を行ったので、その結果について報告する。また、高速熱処理による結晶性の回復や欠陥クラスターの形成について議論する。, 第65回応用物理学会春季学術講演会},
 title = {窒化ガリウム半導体に高温イオン注入したプラセオジム(Pr)の発光観測},
 year = {2018}
}