@misc{oai:repo.qst.go.jp:00086565,
 author = {宮下, 敦巳 and 前川, 雅樹 and 河裾, 厚男 and 金澤, 直也 and Atsumi, Miyashita and Masaki, Maekawa and Atsuo, Kawasuso},
 month = {Jul},
 note = {エレクトロニクス材料の性能限界を突破するスピントロニクス材料の一つとして、その表面状態が特異なことで知られている鉄シリサイド(FeSi)が注目されている。我々はFeSiの表面・界面での電子スピン状態を陽電子測定にて観測した所、FeSi中に多くの空孔欠陥があることを見出した。従来、FeSiでのスピンダイナミクスの機構として、局所クーロン相互作用等の様々な仮説が提唱されているが、未だその起源は明確になっていない。我々は結晶中の空孔欠陥の影響が少なく無いと考え、空孔の詳細な温度特性を測定するとともに、空孔、表面、界面等の状態を第一原理バンド計算にて解析した。
FeSiバルク中の空孔欠陥の解析にはFeSiの基本単位格子(8原子)の(2✕2✕2)サイズモデル(64原子)を用いた。DFT計算にはABINITコードを用いたPAW法を使用した。空孔欠陥としてはFe単空孔、Si単空孔、Fe+Si複空孔、Fe+Fe複空孔、Fe+Fe+Fe複空孔を仮定し、各空孔が生成した場合の生成エネルギー及び電子・陽電子状態を評価した。, 第59回アイソトープ・放射線研究発表会},
 title = {FeSi中での陽電子の第一原理バンド計算による解析},
 year = {2022}
}