@misc{oai:repo.qst.go.jp:00085759,
 author = {阿部, 浩之 and 大島, 武 and Hiroshi, Abe and Takeshi, Ohshima},
 month = {Mar},
 note = {量子センシング・イメージングに用いるより高輝度・高濃度のNVセンタ（窒素・空孔中心）を含有する蛍光ナノダイヤモンド(Fluorescence Nano-Diamonds: FNDs)を形成させることを目的とし、高効率なNVセンタ形成のための電子線照射による高発光強度FNDs形成を目指しており、電子線照射およびNVセンタ形成アニールの熱処理条件等の最適化を進めている。従来は導入したい欠陥量（ドーズ量）に達した際にNVC形成のための熱処理を実施しているが、本研究ではその欠陥量に達する前にある照射量にて一度NVC形成をさせる。またその後継続照射を実施し、またある線量になった時点でNVC形成させる。これらを繰り返し実施することで、従来とNVCによる蛍光強度の変化を調べ、更なる高輝度化（高強度化）を目指す。結果として、一定量照射後NVアニールを実施した方が、高発光蛍光ダイヤとしては優位であることが判明した。但し、4E18照射量程度までであれば、従来の一度に照射をしてからの方が蛍光強度は同じ照射量では高値をしめすことがわかった。, 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会},
 title = {ナノダイヤモンド中NVセンター形成とその高輝度蛍光化},
 year = {2022}
}