@misc{oai:repo.qst.go.jp:00085626,
 author = {黒木, 伸一郎 and 志摩, 拓真 and 目黒, 達也 and Van Cuong, Vuong and 武山, 昭憲 and 牧野, 高紘 and 大島, 武 and 児島, 一聡 and 田中, 保宣 and Akinori, Takeyama and Takahiro, Makino and Takeshi, Ohshima},
 month = {Mar},
 note = {シリコンカーバイド（SiC）半導体を用いた極限環境用集積回路およびイメージセンサの研究開発を進めている。これらを用いて、原子力発電所や宇宙開発などで必要とされる耐放射線性を有するとともに、さらに電気自動車（ EV ）や産業用途で求められる高温での駆動が可能なエレクトロニクスの構築を目指している。本発表では研究開発の現状を紹介し、今後の展開について展望する。, 電子デバイス研究会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期）」},
 title = {シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究},
 year = {2022}
}