@misc{oai:repo.qst.go.jp:00085624,
 author = {永久保, 侑祐 and 田島, 一輝 and 洲村, 拓哉 and 高濱 元史 and 谷口, 貴紀 and 浅野, 駿 and 石井, 賢司 and 松村, 大樹 and 辻, 卓也 and 桑原, 英樹 and 藤田, 全基 and Kenji, Ishii},
 month = {Mar},
 note = {T’構造を有する電子ドープ型銅酸化物高温超伝導体は、母物質の反強磁性Mott絶縁体に電子キャリアをドープするだけでなく、還元処理によってAs-grown試料中に含まれる過剰酸素を除去することで超伝導が発現する。以前、適切に還元処理を行うことで過剰酸素が限りなく除去された母物質の薄膜で超伝導が発現し、注目を集めている。今回我々は、還元した試料のキャリアについて調べるために、単結晶試料を粉末で覆った状態でアニールを行うプロテクトアニールなどで超伝導を発現させた T’構造のPr1.3-xLa0.7CexCuO4 (PLCCO)のアンダードープ領域の単結晶を粉末化した試料を用いて、銅K端でのX 線吸収分光の測定を行った。その結果、プロテクトアニールでCuに電子が多くドープされて超伝導が発現し、高温と低温のアニールを繰り返すダイナミックアニールによってさらに電子が少量ドープされてTcが微増することがわかった。, 日本物理学会第77回年次大会},
 title = {X線吸収微細構造からみる電子ドープ型銅酸化物Pr1.3-xLa0.7CexCuO4のアンダードープ領域の電子状態},
 year = {2022}
}