@misc{oai:repo.qst.go.jp:00085568,
 author = {牧野, 高紘 and 武山, 昭憲 and 小野田, 忍 and 土方, 泰斗 and 大島, 武 and Takahiro, Makino and Akinori, Takeyama and Shinobu, Onoda and Takeshi, Ohshima},
 month = {Sep},
 note = {炭化ケイ素(SiC)は，その優れた物性値から，低損失な次世代パワーデバイスや次世代の宇宙や原子力・加器施設用の耐環境・極限エレクトロニクスへの応用が期待されている．講演では，まずSiC半導体デバイスの耐放射線性研究のための一般的知見として，市販されているSiC-MOSFETとSi-MOSFET に対してのガンマ線照射を行い照射後の各種電気特性の変動からそれぞれの放射線性の違いについて示し考察を行なった．, 第82回　応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {SiC MOSFETへのガンマ線照射効果研究},
 year = {2021}
}