{"created":"2023-05-15T15:02:45.197043+00:00","id":85080,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"afa748c7-7a2e-43e2-bab5-a801800124d2"},"_deposit":{"created_by":1,"id":"85080","owners":[1],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"85080"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:repo.qst.go.jp:00085080","sets":["10:29"]},"author_link":["1025897","1025900","1025898","1025899","1025901"],"item_10005_date_7":{"attribute_name":"発表年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_date_issued_datetime":"2022-03-22","subitem_date_issued_type":"Issued"}]},"item_10005_description_5":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"量子技術のひとつである量子暗号・通信の実現には、光子1個をオンデマンドで生成する技術、すなわち単一光子源の開発が必要である。窒化ガリウム(GaN)半導体にドープしたネオジム(Nd)は室温でも安定して近赤外・狭線幅の発光を示す上、電子デバイス化することで電流注入発光が得られるため(J.H. Kim, P.H. Holloway, Adv. Mater. 17 (2005) 91-96.)、室温動作する電気駆動型近赤外単一光子源への応用が期待できる。しかし、その実現には単一Nd発光の自然放出レートの改善が課題となる。そこで本研究では、Ndをイオン注入したGaN上にフォトニック結晶(PhC)共振器を形成し、パーセル効果によってNd-4f殻内遷移発光の自然放出レートを向上させることを試みた。\n　Si基板上GaNエピ膜に100 keV-Ndをイオン注入し（注入量1×1014 cm-2、オフ角7度）、高温熱処理（1200 oC、2分、N2フロー）によって光学的に活性化させた後、PhC L3共振器構造を形成した（図1(a)）。最適なL3共振器の設計パラメータ（ホール間隔a、ホール半径r）は光学シミュレーションにより決定した。レーザー走査型蛍光顕微鏡でNd起因の発光2次元分布を調べた結果（図1(b)）、L3共振器中央部で高い発光強度が得られ、フォトルミネセンス測定の結果から、4F3/2 → 4I9/2 遷移による916 nmピークが増強していることが判明した（図1(c)）。以上から、パーセル効果により自然放出レートの増加が起こっていることが示唆される。発表では、L3共振器の設計パラメータによる共振周波数の変化や、Nd発光遷移寿命の変化、Q値の算出について議論する。","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_10005_description_6":{"attribute_name":"会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"第69回応用物理学会春季学術講演会","subitem_description_type":"Other"}]},"item_access_right":{"attribute_name":"アクセス権","attribute_value_mlt":[{"subitem_access_right":"metadata only access","subitem_access_right_uri":"http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"佐藤, 真一郎"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1025897","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"大音, 隆男"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1025898","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"大島, 武"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1025899","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"Shinichiro, Sato","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1025900","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"Takeshi, Ohshima","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1025901","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"conference object","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]},"item_title":"NdドープGaNフォトニック結晶L3共振器の近赤外発光特性","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"NdドープGaNフォトニック結晶L3共振器の近赤外発光特性"}]},"item_type_id":"10005","owner":"1","path":["29"],"pubdate":{"attribute_name":"公開日","attribute_value":"2022-03-03"},"publish_date":"2022-03-03","publish_status":"0","recid":"85080","relation_version_is_last":true,"title":["NdドープGaNフォトニック結晶L3共振器の近赤外発光特性"],"weko_creator_id":"1","weko_shared_id":-1},"updated":"2023-05-15T18:01:14.736426+00:00"}