@misc{oai:repo.qst.go.jp:00084097,
 author = {三木一司 and 前川, 雅樹 and 河裾, 厚男 and 飯村隆介 and 三木隼之介 and 宮本将伸 and 嶋津亮 and 唐佳藝 and 山腰茂伸 and 佐々木公平 and 倉又朗 and Masaki, Maekawa and Atsuo, Kawasuso},
 month = {Dec},
 note = {低炭素化社会実現のため、機器制御用パワーデバイスの性能向上による省エネルギー化が求められている。酸化ガリウムは次々世代材料として期待される材料であるが、デバイス作成に必須となるp型ドーパントが未発見である。我々はZn,、Ba、Srのイオン注入によりp型作成を試みている。本報告ではこのうちBaについて現状報告を行う。β-Ga2O3基板に対し、加速エネルギー50keV～370keVの多重照射を行い表面から深さ15-75nmの領域にBaを打ち込んだ。800℃～1100℃の範囲で窒素雰囲気中で30分アニールを行った。1000℃までのアニールでは、アニール温度の上昇に伴い有効ドナー濃度が増加した。これは、基板内の残留Siが電気的に活性化しているためだと考えられる。一方、1100℃アニールでは有効キャリア濃度の減少が見られた。これはBaがアクセプタ化しキャリア補償を起したためと考えられ、p型形成を期待させたが、SIMS測定ではBa濃度の減少が見られており、Baがキャリア補償した為では無いようである。何れにせよ、1100℃における活性化にはBa濃度を減少させない方法を見出す必要であるとの問題点を提示できるところまで来た。今後はこれらの問題点を解決しながらp型酸化ガリウムの作成を目指す。, QST 高崎サイエンスフェスタ 2021},
 title = {イオン注入によるβ型酸化ガリウム中の p 型ドーパント探索},
 year = {2021}
}