@misc{oai:repo.qst.go.jp:00084094,
 author = {前川, 雅樹 and 河裾, 厚男 and 宮下, 敦巳 and Masaki, Maekawa and Atsuo, Kawasuso and Atsumi, Miyashita},
 month = {Dec},
 note = {原子空孔の導入で磁性が発現する空孔誘起磁性は、不純物元素の添加なしに強磁性半導体を作製できる新しい方法として注目されている。窒化ガリウム(GaN)のような窒化物では、不対電子が最大3つ存在できることから強い磁化が予想される。しかし窒素照射GaNでは、陽電子消滅測定で明確なカチオン原子空孔(ガリウム空孔)の導入が確認されるものの、磁化がほとんど検出されない。これは本来空席となるべき欠陥準位を余計な電子が埋め、スピンを打ち消しているためではないかと考えた。そこで紫外光照射により欠陥に捉えられた電子を弾き飛ばして磁性が発現するかを調べた。
TIARAイオン注入装置で100keVの窒素イオン照射(1015cm-2)を行い、GaN膜中に格子欠陥を導入した。暗黒中(紫外線off)ではMDBスペクトルに明確な反応は見られない（ノイズレベル）。紫外光(360 nm LED照射)照射下にて同様の測定を行ったところ、MDB強度に増大は見られず、顕著な磁性増強を検出するには至らなかった。本実験からは、カチオン空孔が作る欠陥準位への電子補償により磁性が抑制されているのではないと推測される。窒化物半導体で空孔誘起磁性が出る場合は、カチオン原子空孔説で理論的に予測された単空孔ではなく、欠陥クラスターなどの別の欠陥構造が関与している可能性が考えられる。, QST 高崎サイエンスフェスタ 2021},
 title = {スピン偏極陽電子消滅法による窒化ガリウムの空孔誘起電子スピンの光制御評価},
 year = {2021}
}