@misc{oai:repo.qst.go.jp:00083570,
 author = {錦戸, 文彦 and 高田, 英治 and 山岸, 正和 and 佐竹, 大樹 and 田久, 創大 and Han Gyu, Kang and 山谷, 泰賀 and Fumihiko, Nishikido and Eiji, Takada and Sodai, Takyu and Kang, Hangyu and Taiga, Yamaya},
 month = {Sep},
 note = {有機半導体は生体構成物質で出来ている・任意の形状が作成可能・大型化が容易・安価であることなど、医用放射線検出器として有利な特徴を有している。そこで我々のグループでは炭素線治療下での線量測定を目的として、有機半導体を用いた炭素線計測を目指して研究を進めている。現在は有機半導体の一つである4-ヒドロキシアノベンゼン(4HCB)の炭素線照射に対する特性評価を行っている。
実験ではサイズが4 mm × 4 mm、厚さが2 mmの4HCBを作成した。4HCB結晶の両側に電極をカーボンペーストで取り付け、電圧の付加・出力信号の取り出しを行った。バイアス電圧は0 Vから900 Vまで変化をさせながら掛け、それぞれの場合での収集電荷量を測定した。評価は放医研の重粒子加速器施設HIMACの物理コースで行い、290 MeV/nの炭素線を校正用電離箱(IC)を通した後4HCBに入射させ測定を行った。ビーム強度は1.8×109 particle per secondに設定した。
図1に炭素線照射時に得られたICと4HCBで得られた0.1秒毎の収集電荷量を示す。データは4HCBに50 Vを印加した時のものである。どちらの検出器でもHIMACでの3.3秒周期のスピル構造が観測できる。図2にバイアス電圧とルブレン単結晶からの出力との関係を示す。縦軸は１スピル毎に得られた電荷量を実際に照射された炭素線の粒子数で校正されており、最も出力が大きかったデータを1としている。電圧を上げることで収集電荷量が増加していることがわかる。これらの結果から4HCBは炭素線用検出器として機能していることがわかる。講演では更に詳細な評価結果について報告を行う。, 2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {有機半導体4HCBの炭素線照射に対する応答特性評価},
 year = {2021}
}