@misc{oai:repo.qst.go.jp:00083563,
 author = {堀場, 弘司 and 川上, 竜平 and 加藤, 剛臣 and 猿田, 康朗 and 中山, 耕輔 and 菅原, 克明 and 北村, 未歩 and 組頭, 広志 and 高橋, 隆 and 佐藤, 宇史 and Koji, Horiba},
 month = {Sep},
 note = {今回我々は、分子線エピタキシー法によって2層グラフェン上に原子層1T-VTe2薄膜を作製後、さらにTe原子をS原子に置換するトポタクティック法を用いて原子層VS2薄膜を作製し、その電子状態をµ-ARPESによって観測した。その結果、Γ点を中心としたS 3p軌道由来のホール的なバンド分散とEF近傍でわずかに分散を示すV 3d軌道由来の電子状態の観測に成功した。実験で得られたバンド分散は第一原理計算と比較的良い一致を示すことから、トポタクティック法により原子層1T-VS2が得られたと結論づけた。, 日本物理学会　2021年秋季大会},
 title = {原子層VS₂の電子状態：マイクロARPES},
 year = {2021}
}