@misc{oai:repo.qst.go.jp:00083562,
 author = {堀場, 弘司 and 猿田, 康朗 and 川上, 竜平 and 加藤 剛臣 and 菅原, 克明 and 北村, 未歩 and 組頭, 広志 and 高橋, 隆 and 佐藤, 宇史 and Koji, Horiba},
 month = {Sep},
 note = {近年MoTe₂の原子層化により、1H構造ではスピン・バレー結合半導体、1T’構造では量子スピンホール絶縁体となることが指摘され注目を集めている。一方、これらの構造が面内で共存した場合、その境界でどのような電子状態が形成されるのかは未解明である。そこで今回我々は、分子線エピタキシー法により1T’/1H相が共存したMoTe₂原子層薄膜を作製し、マイクロARPESによる電子状態の観測を行った。その結果、1H相由来のΓ点中心としたホール的分散(EB〜1.2 eV)に加え、フェルミ準位近傍に1T’相由来の半金属的な電子状態を観測した。, 日本物理学会　2021年秋季大会},
 title = {1T’/1H相が共存したMoTe₂原子層薄膜のマイクロARPES},
 year = {2021}
}