@misc{oai:repo.qst.go.jp:00083340,
 author = {阿部, 浩之 and 長田, 健介 and 佐伯, 誠一 and 長谷川, 伸 and 吉村, 公男 and 大島, 武 and Hiroshi, Abe and Kensuke, Osada and Seiichi, Saiki and Shin, Hasegawa and Kimio, Yoshimura and Takeshi, Ohshima},
 month = {Sep},
 note = {量子センシング・イメージング実現に向けて、ダイヤモンド中NVセンターの基礎的物性から高濃度・高輝度発光NVセンターの形成についてナノダイヤモンド(ND)材料を用いた研究を進めている。ND中のNVセンターは、単一細胞レベルから動物レベルまでの幅広い生体に導入することができ、それらの生命現象により誘起される微小温度変化、細胞活性に伴う磁気・電気的変化の検出を活用した体内のイメージング材料として期待されている。NVセンターの量子性を利用した量子センシング・イメージングのためには、より効率的にNVセンターを導入することに加え、量子性の優れたND中NVセンター形成技術が求められている。今日までにNDに電子線照射と熱処理により高輝度なNVセンター形成技術の最適化を図ってきており、そのようにして作製した高輝度NV-NDの表面に対して、生体導入に適した化学処理を施す必要があり、それらNDの表面化学修飾についても最適化を進めている。
　本研究では、50 nm NDについて電子線照射量と熱処理条件を実施し、種々の条件とNVセンター形成への影響を調べ、更に生体系へ導入するための高発光蛍光ND(Fluorescence Nano-Diamond: FND)の表面に化学修飾についても報告する。, 量子生命科学会第3回大会},
 title = {量子センシング・イメージングに向けたナノダイヤモンド中の高輝度NVセンター形成},
 year = {2021}
}