@misc{oai:repo.qst.go.jp:00083333,
 author = {石井, 秀弥 and 佐伯, 誠一 and 小野田, 忍 and 阿部, 浩之 and 増山, 雄太 and 大島, 武 and Shuya, Ishii and Seiichi, Saiki and Shinobu, Onoda and Hiroshi, Abe and Yuta, Masuyama and Takeshi, Ohshima},
 month = {Sep},
 note = {電子線照射を用いればダイヤモンド中のNV（窒素・空孔）センターを高濃度に形成することが出来ることが知られているが、照射中加熱することでより効率の良い形成が可能となることから、2 MeV電子線照射を室温、800℃及び1000℃中にて実施した。P1センター（格子中窒素不純物）の消費の様子や形成されたNVセンターの電荷状態、総量と照射量の関係を調べた。その結果、高温中での照射によりNVセンター形成効率が改善され、特に800℃においてその効果が高いことが分かった。, 量子生命科学会第3回大会},
 title = {高温電子線照射によるダイヤモンドNVセンターの形成},
 year = {2021}
}