@misc{oai:repo.qst.go.jp:00083300,
 author = {佐藤, 真一郎 and 出来, 真斗 and 西村, 智朗 and 渡邉, 浩崇 and 新田, 州吾 and 本田, 善央 and 天野, 浩 and D. Greentree, Andrew and C. Gibson, Brant and 大島, 武 and Shinichiro, Sato and Takeshi, Ohshima},
 month = {Sep},
 note = {固体結晶中の点欠陥や不純物元素におけるスピン共鳴や発光を利用して周辺の温度、磁場、電場などを計測する手法は「量子センシング」とよばれ、ナノスケールの空間を高感度に計測できる技術として高い注目を浴びている。エレクトロニクス分野においては、デバイス中に量子センサを導入することで、デバイス内部の局所的な状態をリアルタイムで計測し、異常や故障の検出へと活用できる。しかし、これまで提案されている量子センサの母材料はダイヤモンドや炭化ケイ素であり、同じワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)では報告されていなかった。本研究では、新たな量子センサとしてGaN にドープしたランタノイドを提案しており、そのセンシング手法の開発を進めている。非ドープGaN の微小領域（100 nm 四方）にランタノイドの一種であるプラセオジム(Pr)をイオン注入し（100 keV、1×1014 cm-2）、高速熱処理（N2 雰囲気中1200℃、1 分）によって活性化させた後、共焦点レーザー走査型蛍光顕微鏡（励起光波長525 nm）を用いて注入領域の発光スペクトルを取得した。その結果、Pr3+の3P0→3F2 遷移に起因する発光ピークが650 nm と652 nm に生じるが、高温になるにつれ650 nm ピークの相対強度が増加することがわかった。従って、2 つの発光ピークの強度比から、ナノスケール領域の温度計測が可能となる。, 第82回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {窒化ガリウム中プラセオジムの発光を利用したナノスケール領域温度計測},
 year = {2021}
}