@article{oai:repo.qst.go.jp:00082879,
 author = {大島, 武 and Takeshi, Ohshima},
 issue = {6},
 journal = {応用物理},
 month = {Jun},
 note = {サイバー空間とフィジカル空間を高度に融合したSociety5.0の達成にはIoTで全ての人とモノが自由につながり様々な知識や情報が共有される．この達成には、莫大な量のデータを安全に通信し，高速処理する技術の開発が不可欠であり，エレクトロニクスを中心とした既存技術を凌駕する技術の創出が必要となる．量子コンピュータや量子暗号通信といった量子技術はその解決策として大いに期待され，実現に向け量子ビットや量子センサの研究が世界的に活発に行われている．ワイドバンドギャップ半導体中に存在する単一光子源として振る舞う結晶欠陥はその候補のひとつである．ワイドバンドギャップ半導体のひとつである炭化ケイ素（SiC）に着目し，単一光子源として振る舞う欠陥の種類や特徴，陽子線描画法（PBW）といった放射線を活用した単一光子源の生成方法，及びデバイス化へ向けた研究を紹介する．},
 title = {SiC結晶中の単一光子源を利用した量子デバイス},
 volume = {90},
 year = {2021}
}