@misc{oai:repo.qst.go.jp:00082853,
 author = {松本, 謙一郎 and 上野, 恵美 and 荘司, 好美 and 中西, 郁夫 and Kenichiro, Matsumoto and Megumi, Ueno and Yoshimi, Shoji and Ikuo, Nakanishi},
 month = {May},
 note = {放射線による水中でのヒドロキシルラジカル（•OH）生成には、mMレベルの比較的疎な生成とMレベルの極めて密な生成があることを報告した。疎な生成は約6.3−7.3 nmの間隔で生じていることが測定できたが、極めて密な生成については0.9 nm以下の距離間隔で生成していることは推測できるものの、具体的な測定値が得られていなかった。本研究では、積分型EPRスペクトルのベースライン補正により、高濃度領域での定量性の向上を図り、極めて密な•OH生成密度の数値化を試みた。
比較的低濃度のDMPO水溶液の濃度系列（0.13 mM−2.3 M）および高濃度のDMPO水溶液の濃度系列（1.6 M−8.8 M）にX線または炭素イオン線を照射し、試料溶液中に生じるDMPO-OHの濃度をDMPOの密度に対してプロットした。密度は、ある濃度のDMPOの分子間距離の逆数で、単位距離当たりDMPO分子数を意味する。
結果をプロットすると、これまで得られている3相の曲線に続いて、更に4相目を確認できた。3相目と4相目の変曲点の数値から、極めて密な•OH生成の密度はX線では1184 μm-1、炭素イオン線ではLETが20 keV/μmの時に1174 μm-1、LETが80 keV/μmの時に1389 μm-1と評価できた。これを分子間距離に換算するとそれぞれ0.84 nm、0.85 nmおよび0.72 nm、濃度に換算すると2.8 M、2.7 Mおよび4.4 M程度となった。予想した通りに高濃度領域のプラトー部にあたる4相目が現れたことから、局在するMレベルの極めて密な•OH生成が確かめられた。, 第74回日本酸化ストレス学会・第21回日本NO学会 合同学術集会},
 title = {水へのX線または炭素イオン線照射により局所的に極めて密に生成するヒドロキシルラジカルの初期局所濃度の測定},
 year = {2021}
}