@misc{oai:repo.qst.go.jp:00081985,
 author = {Songtian, Li and li, songtian and Larionov , K.V. and B. Sorokin, P. and Amemiya, K. and Shiro, Entani and Sakuraba, Y. and Mochizuki, I. and Wata, K. and Atsuo, Kawasuso and Seiji, Sakai and Songtian, Li and Shiro, Entani and Atsuo, Kawasuso and Seiji, Sakai},
 month = {Feb},
 note = {「夢の素材」と呼ばれるグラフェンは、厚さが究極的に薄くしなやかで強く、ユニークな物理、光学、電気的性質を持つため、様々な分野で応用に関する研究開発を進められています。その中で、スピンの散乱が生じにくいことや電子を高速かつ低抵抗で流すことができることなどスピンの輸送に適した性質から、グラフェンはスピントランジスタや超高記録密度磁気メモリなど次世代の省エネ・高集積化スピントロニクスデバイスへの応用に有望なスピントロニクス材料として注目されています[1, 2]。しかし、これまでに研究されたグラフェンを用いたスピントロニクスデバイスでは、上記の性質から期待されるような高い性能は実現されておらず、応用に向けた道筋は見えていません。このような低い性能の原因として、従来のグラフェンスピントロニクスデバイスでは、デバイスの中でグラフェンと積層して用いられる磁性体の材質がスピン偏極率が低い一般的な磁性材料(ニッケルやコバルト等)に限られてきたことが考えられます。このような状況の下、我々はハーフメタルと呼ばれ100%のスピン偏極率を持つ磁性材料であるホイスラー合金に着目し、グラフェンとホイスラー合金を積層する技術の開発に取り組み、厚さが一原子層のグラフェンがホイスラー合金の表面を完全に被覆したグラフェン/ホイスラー合金ヘテロ構造（右図）の作製に成功しました [3]。さらに、グラフェン/ホイスラー合金ヘテロ構造の界面の電子・磁気的状態をXMCDおよびTRHEPD分光により調べた結果、グラフェンとホイスラー合金が接する界面においても、ホイスラー合金が本来持っている磁性や高いスピン偏極率が失われていないことや、ディラックコーンと呼ばれるグラフェンのスピン輸送を担う電子状態が保たれていることが分かりました。これらの結果から、今後、グラフェン/ホイスラー合金ヘテロ構造を用いることで、グラフェンスピントロニクスデバイスの飛躍的な高性能化の実現が期待できます。, 低速陽電子実験施設研究会},
 title = {Spectroscopic studies of graphene/Heusler alloy heterostructure by using XMCD and TRHEPD},
 year = {2021}
}