@article{oai:repo.qst.go.jp:00081667,
 author = {Amekra, H. and Toulemonde, M. and Narumi, Kazumasa and Li, R. and Chiba, Atsuya and Hirano, Yoshimi and Yamada, Keisuke and Yamamoto, Shunya and Ishikawa, N. and Okubo, N. and Saitoh, Yuichi and Kazumasa, Narumi and Atsuya, Chiba and Yoshimi, Hirano and Keisuke, Yamada and Shunya, Yamamoto and Yuuichi, Saito},
 journal = {Scientific Reports},
 month = {Jan},
 note = {電子的阻止能が大きな高エネルギーイオンを標的に照射したときにその飛跡に沿ってダメージによるイオントラックが形成されることが知られているが、炭素原子60個からなるC_60クラスターイオンの場合、これまで17MeV以下ではSi中にトラックが形成されないと考えられていた。今回、照射実験により1MeVのC_60照射でもSi中にトラックが形成されることを確認した。これはこれまでの電子的阻止能のエネルギー付与のみによる形成メカニズムでは説明することができず、新たに核的阻止能を加えたシナジー効果を示唆するものである。},
 title = {Ion tracks in silicon formed by much lower energy deposition than the track formation threshold},
 volume = {11},
 year = {2021}
}