@misc{oai:repo.qst.go.jp:00081351,
 author = {佐藤, 真一郎 and 李, 铄 and 出来, 真斗 and 西村, 智朗 and 新田, 州吾 and 本田, 善央 and C. Gibson , Brant and D. Greentree, Andrew and 天野, 浩 and 大島, 武 and Shinichiro, Sato and Takeshi, Ohshima},
 month = {Dec},
 note = {窒化ガリウム(GaN)にドープされた希土類イオンは、熱クエンチングが少なく、室温でも狭い線幅で極めて安定した可視～近赤外の発光を示す。GaNは微細加工や電子デバイス作製技術が成熟していることから、希土類発光ダイオード(LED)の開発研究が進められており、量子技術への展開という観点からは、室温で電気的制御が可能な単一光子源（任意のタイミングで光子を１つずつ放出する発光源）への応用も期待できる。ところが、GaNは屈折率が高く、希土類の発光を外部へ効率良く引き出すことが困難である課題がある。そこで本研究では、ナノ構造への閉じ込め効果を利用した光引き出し効率の向上を目指し、希土類の一種であるプラセオジム(Pr)をGaN表面に形成したナノスケールのピラー構造を形成し、室温での発光特性を調べた。, QST高崎サイエンスフェスタ2020},
 title = {窒化ガリウムナノピラー構造にドープしたプラセオジムの発光強度増強},
 year = {2020}
}