@misc{oai:repo.qst.go.jp:00081262,
 author = {武山, 昭憲 and 清水, 奎吾 and 牧野, 高紘 and 山崎, 雄一 and 大島, 武 and 黒木, 伸一郎 and 田中, 保宣 and Akinori, Takeyama and Takahiro, Makino and Yuichi, Yamazaki and Takeshi, Ohshima},
 month = {Dec},
 note = {炭化ケイ素接合型電解効果トランジスタ (SiC JFET) は、金属-酸化膜-半導体 電解効果トランジスタ(MOSFET)のようなゲート酸化膜を持たず、ガンマ線照射の影響を受けにくい耐放射線性デバイスとして期待されている。そこでSiC JFETのデバイス構造が、ガンマ線耐性に及ぼす影響を調べた。9MGy(H2O)までガンマ線を照射した結果、デバイス構造にかかわらずリーク電流が増加し、JFET/表面パッシベーション酸化膜界面への照射による欠陥生成が推測された。またゲート長が長いサンプルほど、相互コンダクタンスの低下量が大きくなった。これは照射でチャネル領域に生成した欠陥が直列抵抗として働き、ゲート長が長い（サイズが大きい）サンプルほどその影響を受けやすいことを示している。, 先進パワー半導体分科会 第7回講演会},
 title = {デバイス構造が4H-SiC JFETのMGyガンマ線耐性に及ぼす影響},
 year = {2020}
}