@article{oai:repo.qst.go.jp:00081138,
 author = {宮下, 敦巳 and Miyashita, Atsumi},
 journal = {令和元年度スーパーコンピュータシステムICE X利用による研究成果報告集},
 month = {Nov},
 note = {JAEAのスーパーコンピュータシステムICE Xの利用による令和元年度の成果をまとめた。CFGG(001)基板表面上にグラフェンが乗った場合、CFGG表面とグラフェン層の間隔が広いため両層間にも陽電子密度を持っており、この領域で電子にトラップされてしまう事が予想された。これは実験でPsの生成率が低い事で裏付けられた。電子・陽電子密度積は物質の最表面で高いが、この密度積を|ΦPs|のエネルギー範囲で積分すると、CFGGのみの場合は12%程度のスピン偏極率を持つのに対し、グラフェンが乗った場合はわずか2%程度まで低減しており、スピン注入効率が低い事が分かった。これは、スピン偏極Ps分光実験から得られたスピン偏極率ともよく整合していた。},
 pages = {6--9},
 title = {第一原理シミュレーションによる陽電子消滅法を用いたナノ物性材料評価},
 year = {2020}
}