@misc{oai:repo.qst.go.jp:00081075, author = {松本, 謙一郎 and 上野, 恵美 and 中西, 郁夫 and Matsumoto, Kenichiro and Ueno, Megumi and Nakanishi, Ikuo}, month = {Oct}, note = {炭素線による水中での過酸化水素(H2O2)の生成についてLETおよび溶存酸素の関係を調べた。放射線に水中に生じるヒドロキシルラジカル(•OH)は偏在しており、mmol/Lレベルの比較的疎な生成、あるいはmol/Lレベルの極めて密な生成が起こる。mmol/Lレベルの•OH同士の分子間距離は4.3‒6.6 nmと予想され、•OH同士の反応は難しい。しかし極めて密に生成した•OHの分子間距離は1 nm以下と予想され、この場合には•OH同士の反応によりH2O2を生じることができる。ミリQ水を酸素透過性のPE製の袋に入れ炭素線を照射した。低酸素条件での照射の際は、水を入れたPE製の袋を更に酸素非透過性のプラスチックバッグに酸素吸収剤および酸素マーカーとともに封入し、プラスチックバッグ内の酸素濃度が0.5%以下であることを確認した上で照射した。炭素線は放射線医学総合研究所のHIMACでLETが20, 40, 60, 80または100 keV/umの条件で行った。照射後、それぞれの試料水中に生じたH2O2量を、フェントン反応を利用した方法、または従来の色素法により定量した。酸素の存在下では炭素線によるH2O2の生成はLETの増加とともに低下した。しかしながら低酸素の照射条件では、つまり酸素非依存的なH2O2の生成量はLETの増大とともに増加した。LETの増大とともに疎な•OH生成が減少し極めて密な•OH生成の割合が増加すると報告があり、そのため酸素非依存的なH2O2生成もLETの増大とともに増加したと考えられる。, 第73回日本酸化ストレス学会/第20回日本NO学会 合同学術集会}, title = {炭素線による水中における酸素非依存的な過酸化水素の生成}, year = {2020} }