@article{oai:repo.qst.go.jp:00080158,
 author = {大島, 武 and Ohshima, Takeshi},
 journal = {月刊OPTRONICS},
 month = {Aug},
 note = {炭化ケイ素（SiC）中の量子センサとして活用可能なスピン欠陥、特に、シリコン空孔（Vsi)について、量子センシングの原理を含めてその特徴を紹介する。加えて、Vsiの形成法として、電子線照射及びプロトンビーム描画技術について、これまでの研究成果を例に紹介する。},
 title = {炭化ケイ素（SiC）半導体量子センサー},
 year = {2020}
}